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IRF520NPBF
パワーMOSFET, N チャネル, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥92.4 (¥101.64) |
| 10+ | ¥59.53 (¥65.483) |
| 100+ | ¥54.38 (¥59.818) |
| 500+ | ¥48.41 (¥53.251) |
| 1000+ | ¥48.27 (¥53.097) |
| 5000+ | ¥47.31 (¥52.041) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥92 (¥102 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
The IRF520NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
9.7A
トランジスタ ケース タイプ
TO-220AB
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
47W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
100V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.2ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002041