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IRF4905PBF
パワーMOSFET, P チャネル, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, スルーホール
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|---|---|
| 1+ | ¥394.18 (¥433.598) |
| 10+ | ¥215.01 (¥236.511) |
| 100+ | ¥188.52 (¥207.372) |
| 500+ | ¥160.48 (¥176.528) |
| 1000+ | ¥139.45 (¥153.395) |
| 5000+ | ¥135.55 (¥149.105) |
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複数: 1
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製品概要
The IRF4905PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 20mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 200W at 25°C
- Continuous drain current Id of -74A at Vgs 10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
74A
トランジスタ ケース タイプ
TO-220AB
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
200W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
55V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.02ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
HEXFET Series
0
IRF4905PBF の代替製品
1 見つかった製品
関連製品
4 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002041