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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥472.08 (¥519.288) |
| 10+ | ¥369.25 (¥406.175) |
| 25+ | ¥341.21 (¥375.331) |
| 50+ | ¥327.19 (¥359.909) |
| 100+ | ¥313.17 (¥344.487) |
| 250+ | ¥311.34 (¥342.474) |
| 500+ | ¥309.51 (¥340.461) |
| 1000+ | ¥307.68 (¥338.448) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥472 (¥519 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーINFINEON
メーカー部品番号IR2110PBF
注文コード8638837
別名IR2110PBF, SP001536788
技術データシート
チャネル数2チャネル
ゲートドライバ タイプ非絶縁
ドライバー 構成ハイサイド および ローサイド
パワースイッチ タイプIGBT, MOSFET
ピン 数14ピン
IC ケース/ パッケージPDIP
IC 取付スルーホール
入力 タイプCMOS
電源電流2.5A
シンク電流2.5A
供給電圧 最小値3.3V
供給電圧 最大値20V
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値125°C
入力 遅延120ns
出力 遅延94ns
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Fully operational to +500V or +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10 to 20V
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V logic compatible
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
技術仕様
チャネル数
2チャネル
ドライバー 構成
ハイサイド および ローサイド
ピン 数
14ピン
IC 取付
スルーホール
電源電流
2.5A
供給電圧 最小値
3.3V
動作温度 最小値
-40°C
入力 遅延
120ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
非絶縁
パワースイッチ タイプ
IGBT, MOSFET
IC ケース/ パッケージ
PDIP
入力 タイプ
CMOS
シンク電流
2.5A
供給電圧 最大値
20V
動作温度 最大値
125°C
出力 遅延
94ns
能力
-
0
関連製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001134