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BM3G005MUV-LBE2
GaN HEMT パワー ステージ, VQFN046V8080, 6.83 V ～ 30 V, 1 チャネル, 1 出力, TO252-J
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥2,388.91 (¥2,627.801) |
| 10+ | ¥1,848.67 (¥2,033.537) |
| 25+ | ¥1,793.42 (¥1,972.762) |
| 50+ | ¥1,738.16 (¥1,911.976) |
| 100+ | ¥1,682.9 (¥1,851.19) |
| 250+ | ¥1,677.9 (¥1,845.69) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥2,389 (¥2,628 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーROHM
メーカー部品番号BM3G005MUV-LBE2
注文コード4633476
技術データシート
IC 機能GaN HEMT パワー ステージ
供給電圧 最小値6.83V
供給電圧 最大値30V
IC パッケージタイプVQFN046V8080
ピン 数46ピン
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値105°C
製品 範囲-
自動車用適合規格-
0
技術仕様
IC 機能
GaN HEMT パワー ステージ
供給電圧 最大値
30V
ピン 数
46ピン
動作温度 最大値
105°C
自動車用適合規格
-
供給電圧 最小値
6.83V
IC パッケージタイプ
VQFN046V8080
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00001