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PSMN1R0-80CSEJ
パワーMOSFET, N チャネル, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥1,660.85 (¥1,826.935) |
| 5+ | ¥1,480.12 (¥1,628.132) |
| 10+ | ¥1,299.39 (¥1,429.329) |
| 50+ | ¥1,191.11 (¥1,310.221) |
| 100+ | ¥1,082.82 (¥1,191.102) |
| 250+ | ¥1,061.17 (¥1,167.287) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥1,661 (¥1,827 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
495A
トランジスタ ケース タイプ
CCPAK1212i
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
1.55kW
動作温度 最大値
175°C
能力
-
ドレインソース 電圧 Vds
80V
ドレインソース オン状態 抵抗
950µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3.6V
ピン 数
12ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001