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PSMN1R0-100CSFJ
パワーMOSFET, N チャネル, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥2,971.76 (¥3,268.936) |
| 5+ | ¥2,648.63 (¥2,913.493) |
| 10+ | ¥2,325.5 (¥2,558.05) |
| 50+ | ¥2,210.29 (¥2,431.319) |
| 100+ | ¥2,095.07 (¥2,304.577) |
| 250+ | ¥2,053.17 (¥2,258.487) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥2,972 (¥3,269 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
460A
トランジスタ ケース タイプ
CCPAK1212i
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
1.55kW
動作温度 最大値
175°C
能力
-
ドレインソース 電圧 Vds
100V
ドレインソース オン状態 抵抗
1040µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
12ピン
製品 範囲
NextPower Series
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001