ページを印刷
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
2 在庫有り
さらに必要ですか?
2 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥136,382.86 (¥150,021.146) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥136,383 (¥150,021 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカーANALOG DEVICES
メーカー部品番号EV1HMC1114PM5
注文コード4568573
技術データシート
シリコン 製造メーカーAnalog Devices
シリコン コアナンバーHMC1114PM5E
キット 適用タイプRF / IF
アプリケーション サブ タイプGaN パワーアンプ
キット内容評価ボード HMC1114PM5E
製品 範囲-
0
製品概要
EV1HMC1114PM5 is a HMC1114PM5E evaluation board. The HMC1114PM5E is a gallium nitride (GaN), broadband power amplifier delivering >10W (up to 42dBm) typical with up to 55% power added efficiency (PAE) across an instantaneous bandwidth range of 2.7GHz to 3.8GHz, at an input power (PIN) of 18dBm. The gain flatness is <1dB typical at small signal levels. The HMC1114PM5E is ideal for pulsed or continuous wave (CW) applications, such as wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.
- Use RF circuit design techniques for the circuit board used in the application
- Ensure 50 ohm signal line impedance, connect package ground leads and exposed paddle to GND plane
- Use a sufficient number of via holes to connect the top and bottom ground planes
技術仕様
シリコン 製造メーカー
Analog Devices
キット 適用タイプ
RF / IF
キット内容
評価ボード HMC1114PM5E
0
シリコン コアナンバー
HMC1114PM5E
アプリケーション サブ タイプ
GaN パワーアンプ
製品 範囲
-
技術文書 (1)
関連製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85439000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:詳細は後日、追ってご連絡致します。
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001