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NGW75T65H3DFQ
IGBT, 80 A, 1.6 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 ピン
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥1,076.59 (¥1,184.249) |
| 10+ | ¥788.36 (¥867.196) |
| 100+ | ¥772.6 (¥849.86) |
| 500+ | ¥756.83 (¥832.513) |
| 1000+ | ¥741.06 (¥815.166) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
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製品概要
NGW75T65H3DFQ is a 650V, 75A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65H3DF is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses. This hard-switching 650V, 75A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
技術仕様
連続コレクタ電流
80A
電力損失
600W
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
動作温度 最大値
175°C
製品 範囲
-
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.6V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
650V
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00001