ページを印刷
NGW40T65M3DFPQ
IGBT, 72 A, 1.5 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 ピン
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
430 在庫有り
さらに必要ですか?
430 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥696.44 (¥766.084) |
| 10+ | ¥464.29 (¥510.719) |
| 100+ | ¥455.01 (¥500.511) |
| 500+ | ¥445.72 (¥490.292) |
| 1000+ | ¥436.44 (¥480.084) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥696 (¥766 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品概要
NGW40T65M3DFPQ is a 650V, 40A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V, 50A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
技術仕様
連続コレクタ電流
72A
電力損失
283W
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
動作温度 最大値
175°C
製品 範囲
-
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.5V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
650V
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00001