ページを印刷
SSM6L56FE,LM(T
デュアル MOSFET, N チャネル および P チャネル, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
1,705 在庫有り
さらに必要ですか?
1705 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥51.86 (¥57.046) |
| 10+ | ¥31.77 (¥34.947) |
| 100+ | ¥15.41 (¥16.951) |
| 500+ | ¥14.92 (¥16.412) |
| 1000+ | ¥11.48 (¥12.628) |
| 5000+ | ¥9.46 (¥10.406) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥259 (¥285 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカーTOSHIBA
メーカー部品番号SSM6L56FE,LM(T
注文コード4415943
別名SSM6L56FE, SSM6L56FE,LM
技術データシート
チャネル タイプN チャネル および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル20V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル20V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）800mA
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）800mA
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.235ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル0.39ohm
トランジスタ ケース タイプSOT-563
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル250mW
電力損失 P チャンネル250mW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
20V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
800mA
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
0.39ohm
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
250mW
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
20V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
800mA
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.235ohm
トランジスタ ケース タイプ
SOT-563
電力損失 N チャンネル
250mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:詳細は後日、追ってご連絡致します。
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000003