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PSMN2R6-80YSFX
パワーMOSFET, N チャネル, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥549.98 (¥604.978) |
| 10+ | ¥356.79 (¥392.469) |
| 100+ | ¥246.17 (¥270.787) |
| 500+ | ¥218.13 (¥239.943) |
| 1000+ | ¥190.09 (¥209.099) |
| 5000+ | ¥162.04 (¥178.244) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥550 (¥605 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
231A
トランジスタ ケース タイプ
LFPAK56E
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
294W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
ドレインソース 電圧 Vds
80V
ドレインソース オン状態 抵抗
2400µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
4ピン
製品 範囲
NextPower Series
0
技術文書 (1)
PSMN2R6-80YSFX の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000104