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SSM6N15AFE,LM(T
デュアル MOSFET, デュアル N チャネル, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーTOSHIBA
メーカー部品番号SSM6N15AFE,LM(T
注文コード4381047
製品ラインナップU-MOSIII Series
別名SSM6N15AFE, SSM6N15AFE,LM
お客様の部品番号
技術データシート
2,900 在庫有り
さらに必要ですか?
2900 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥51.86 (¥57.046) |
| 10+ | ¥32.09 (¥35.299) |
| 100+ | ¥20.26 (¥22.286) |
| 500+ | ¥14.92 (¥16.412) |
| 1000+ | ¥8.27 (¥9.097) |
| 5000+ | ¥7.95 (¥8.745) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥259 (¥285 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーTOSHIBA
メーカー部品番号SSM6N15AFE,LM(T
注文コード4381047
製品ラインナップU-MOSIII Series
別名SSM6N15AFE, SSM6N15AFE,LM
技術データシート
チャネル タイプデュアル N チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル30V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル-
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）100mA
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）-
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル3.6ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル-
トランジスタ ケース タイプSOT-563
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル150mW
電力損失 P チャンネル-
動作温度 最大値150°C
製品 範囲U-MOSIII Series
能力-
0
技術仕様
チャネル タイプ
デュアル N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
-
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
-
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
-
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
-
製品 範囲
U-MOSIII Series
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
100mA
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
3.6ohm
トランジスタ ケース タイプ
SOT-563
電力損失 N チャンネル
150mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000003