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IMZA65R050M2HXKSA1
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
メーカーINFINEON
メーカー部品番号IMZA65R050M2HXKSA1
注文コード4378746
製品ラインナップCoolSiC Gen 2 Series
別名IMZA65R050M2H, SP005917217
お客様の部品番号
技術データシート
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥1,325.44 (¥1,457.984) |
| 5+ | ¥1,217.62 (¥1,339.382) |
| 10+ | ¥1,109.8 (¥1,220.78) |
| 50+ | ¥1,001.97 (¥1,102.167) |
| 100+ | ¥894.15 (¥983.565) |
| 250+ | ¥793.63 (¥872.993) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥1,325 (¥1,458 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーINFINEON
メーカー部品番号IMZA65R050M2HXKSA1
注文コード4378746
製品ラインナップCoolSiC Gen 2 Series
別名IMZA65R050M2H, SP005917217
技術データシート
MOSFET モジュール 構成シングル
チャネル タイプN チャネル
連続ドレイン電流 Id38A
ドレインソース 電圧 Vds650V
ドレインソース オン状態 抵抗0.046ohm
トランジスタ ケース タイプTO-247
ピン 数4ピン
Rds(on) テスト 電圧20V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値5.6V
電力損失153W
動作温度 最大値175°C
製品 範囲CoolSiC Gen 2 Series
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技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
38A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.046ohm
ピン 数
4ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
5.6V
動作温度 最大値
175°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
650V
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
Rds(on) テスト 電圧
20V
電力損失
153W
製品 範囲
CoolSiC Gen 2 Series
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.008391