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DMG1012T-7
パワーMOSFET, N チャネル, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号DMG1012T-7
注文コード4318478
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース 電圧 Vds20V
連続ドレイン電流 Id630mA
ドレインソース オン状態 抵抗0.4ohm
トランジスタ ケース タイプSOT-523
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧4.5V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値1V
電力損失280mW
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力AEC-Q101
0
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
630mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-523
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
280mW
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.4ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000053