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PSMN4R5-80YSFX
パワーMOSFET, N チャネル, 80 V, 100 A, 4500 µohm, SOT-669, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥539.08 (¥592.988) |
| 10+ | ¥339.65 (¥373.615) |
| 100+ | ¥230.59 (¥253.649) |
| 500+ | ¥202.6 (¥222.86) |
| 1000+ | ¥174.61 (¥192.071) |
| 5000+ | ¥146.61 (¥161.271) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥539 (¥593 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
100A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-669
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
238W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
ドレインソース 電圧 Vds
80V
ドレインソース オン状態 抵抗
4500µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
4ピン
製品 範囲
NextPower Series
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Great Britain
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Great Britain
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00069