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NGW30T60M3DFQ
IGBT, 75 A, 1.4 V, 285 W, 600 V, TO-247, 3 ピン
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| 1+ | ¥455.17 (¥500.687) |
| 10+ | ¥301.66 (¥331.826) |
| 100+ | ¥264.79 (¥291.269) |
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製品概要
NGW30T60M3DFQ is a 600V, 30A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW30T60M3DF is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 600V, 30A IGBT is optimized for high-voltage, low-frequency industrial power inverter and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
技術仕様
連続コレクタ電流
75A
電力損失
285W
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
動作温度 最大値
175°C
製品 範囲
Field Stop Trench Series
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.4V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
600V
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001