TBD62503AFG(Z,EL)

• TBD62503A シリーズ BiCD シリコン モノリシック 集積回路
• 7-チャネル シンク型 DMOS トランジスタ アレイ
• 高電圧: 50V (最大、Ta = 25°C)、高電流: 300mA/ch (最大、Ta = 25°C)
• 入力電圧範囲: 2.5 ～ 25V (出力 オン、IOUT = 100mA 以上、VOUT = 2V、Ta = −40 ～ 85°C)
• 出力 リーク電流: 1.0μA (最大、VOUT = 50V、Ta = 85°C、VIN = 0V)
• ターンオン 遅延: 0.4μs (標準、VOUT = 50V、RL = 200 ohm、CL = 15pF)
• ターンオン 遅延: 0.8μs (標準、VOUT = 50V、RL = 200 ohm、CL = 15pF)
• SOP16-P-225-1.27 パッケージ, 動作温度範囲: -40 ～ 85°C

注意

使用中は熱状態にご注意ください。