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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥212.81 (¥234.091) |
| 10+ | ¥131.36 (¥144.496) |
| 50+ | ¥126.34 (¥138.974) |
| 100+ | ¥121.09 (¥133.199) |
| 250+ | ¥116.22 (¥127.842) |
| 500+ | ¥110.67 (¥121.737) |
| 1000+ | ¥107.09 (¥117.799) |
| 2500+ | ¥104.69 (¥115.159) |
価格:各(カットテープで提供)
最小: 1
複数: 1
¥213 (¥234 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
TBD62003AFG (Z,EL) は、TBD62003A シリーズの BiCD シリコン モノリシック集積回路です。各出力に誘導負荷を切り替えるためのクランプダイオードを内蔵。
- 7-チャネル シンク型 DMOS トランジスタ アレイ
- 高電圧: 50V (最大、Ta = 25°C)、高電流: 500mA/ch (最大、Ta = 25°C)
- 入力電圧範囲: 2.5 ~ 25V (出力 オン、IOUT = 100mA 以上、VOUT = 2V、Ta = −40 ~ 85°C)
- COMMON ピン 電圧: 50V (最大、Ta = -40 ~ 85°C)
- クランプ ダイオードの順方向電流: 400mA (最大、Ta = -40 ~ 85°C)
- 出力 リーク電流: 1.0μA (最大、VOUT = 50V、Ta = 85°C、VIN = 0V)
- ターンオン 遅延: 0.4μs (標準、VOUT = 50V、RL = 125ohm、CL = 15pF)
- ターンオン 遅延: 0.8μs (標準、VOUT = 50V、RL = 125ohm、CL = 15pF)
- SOP16-P-225-1.27 パッケージ、動作温度範囲: -40 ~ 85°C
注意
使用中は熱状態にご注意ください。
技術仕様
供給電圧 最小値
-
出力 数
7出力
出力 電流
500mA
製品 範囲
-
供給電圧 最大値
-
出力 電圧
50V
ドライバー ケース スタイル
SOP
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00016