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IXTN660N04T4
MOSFET トランジスタ, N チャネル, 660 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製造終了
製品情報
メーカーLITTELFUSE
メーカー部品番号IXTN660N04T4
注文コード4060239
製品ラインナップTrenchT4 Series
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
連続ドレイン電流 Id660A
ドレインソース 電圧 Vds40V
ドレインソース オン状態 抵抗850µohm
トランジスタ ケース タイプSOT-227
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値4V
トランジスタ 取付モジュール
電力損失1.04kW
動作温度 最大値175°C
ピン 数4ピン
製品 範囲TrenchT4 Series
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
40V
トランジスタ ケース タイプ
SOT-227
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
電力損失
1.04kW
ピン 数
4ピン
連続ドレイン電流 Id
660A
ドレインソース オン状態 抵抗
850µohm
Rds(on) テスト 電圧
10V
トランジスタ 取付
モジュール
動作温度 最大値
175°C
製品 範囲
TrenchT4 Series
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:South Korea
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:South Korea
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.044452