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DMN26D0UFB4-7
パワーMOSFET, N チャネル, 20 V, 240 mA, 1.8 ohm, X2-DFN1006, 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製造終了
製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号DMN26D0UFB4-7
注文コード3943567
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース 電圧 Vds20V
連続ドレイン電流 Id240mA
ドレインソース オン状態 抵抗1.8ohm
トランジスタ ケース タイプX2-DFN1006
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧4.5V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値900mV
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
240mA
トランジスタ ケース タイプ
X2-DFN1006
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
1.8ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
900mV
動作温度 最大値
150°C
能力
-
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000001