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NXH80T120L3Q0S3G
IGBT モジュール, デュアル [ハーフ ブリッジ], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, モジュール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥11,532.6 (¥12,685.86) |
| 5+ | ¥10,812.44 (¥11,893.684) |
| 10+ | ¥10,454.66 (¥11,500.126) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥11,533 (¥12,686 税込み)
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号NXH80T120L3Q0S3G
注文コード3929816
製品ラインナップEliteSiC Series
技術データシート
IGBT 構成デュアル [ハーフ ブリッジ]
連続コレクタ電流75A
コレクタ エミッタ間飽和電圧1.7V
電力損失188W
動作温度 最大値175°C
トランジスタ ケース タイプモジュール
IGBT 終端はんだ ピン
コレクタ エミッタ間電圧（最大）1.2kV
IGBT テクノロジーIGBT [トレンチ / フィールド ストップ]
トランジスタ 取付パネル
製品 範囲EliteSiC Series
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技術仕様
IGBT 構成
デュアル [ハーフ ブリッジ]
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.7V
動作温度 最大値
175°C
IGBT 終端
はんだ ピン
IGBT テクノロジー
IGBT [トレンチ / フィールド ストップ]
製品 範囲
EliteSiC Series
連続コレクタ電流
75A
電力損失
188W
トランジスタ ケース タイプ
モジュール
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
1.2kV
トランジスタ 取付
パネル
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.09