ページを印刷
NXH350N100H4Q2F2S1G
IGBT モジュール, シリコン / シリコンカーバイド ハイブリッド モジュール, EliteSiC, 4パック, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, モジュール
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
26 在庫有り
さらに必要ですか?
26 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥31,729.41 (¥34,902.351) |
| 5+ | ¥30,170.65 (¥33,187.715) |
| 10+ | ¥28,611.88 (¥31,473.068) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥31,729 (¥34,902 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
技術仕様
IGBT 構成
4パック
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.63V
動作温度 最大値
175°C
IGBT 終端
はんだ
IGBT テクノロジー
IGBT [トレンチ / フィールド ストップ]
製品 範囲
EliteSiC Series
連続コレクタ電流
303A
電力損失
592W
トランジスタ ケース タイプ
モジュール
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
1kV
トランジスタ 取付
パネル
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.09