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NXH006P120MNF2PTG
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, ハーフブリッジ, N チャネル, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, モジュール
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|---|---|
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アイテムのメモ
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技術仕様
MOSFET モジュール 構成
ハーフブリッジ
連続ドレイン電流 Id
304A
ドレインソース オン状態 抵抗
5480µohm
ピン 数
36ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.83V
動作温度 最大値
175°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
モジュール
Rds(on) テスト 電圧
20V
電力損失
950W
製品 範囲
-
技術文書 (1)
関連製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.09