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アイテムのメモ
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技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
36A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.07ohm
ピン 数
7ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.45V
動作温度 最大値
175°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
H2PAK
Rds(on) テスト 電圧
18V
電力損失
238W
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00154