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NTMFS0D8N03CT1G
パワーMOSFET, N チャネル, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥298.15 (¥327.965) |
| 10+ | ¥226.86 (¥249.546) |
| 100+ | ¥163.66 (¥180.026) |
| 500+ | ¥143.41 (¥157.751) |
| 1000+ | ¥109.55 (¥120.505) |
| 5000+ | ¥107.36 (¥118.096) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥298 (¥328 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
337A
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
150W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
620µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.2V
ピン 数
8ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001