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G3R350MT12J
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
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技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
11A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.35ohm
ピン 数
7ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.69V
動作温度 最大値
175°C
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) テスト 電圧
15V
電力損失
75W
製品 範囲
G3R
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
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製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001393