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NX5008NBKMYL
パワーMOSFET, N チャネル, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥21.82 (¥24.002) |
| 10+ | ¥14.49 (¥15.939) |
| 100+ | ¥10.76 (¥11.836) |
| 500+ | ¥9.72 (¥10.692) |
| 1000+ | ¥8.68 (¥9.548) |
| 5000+ | ¥7.64 (¥8.404) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥109 (¥120 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
350mA
トランジスタ ケース タイプ
DFN1006
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
350mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
50V
ドレインソース オン状態 抵抗
2ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
700mV
ピン 数
3ピン
製品 範囲
Trench
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000041