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IXFH12N100P
パワーMOSFET, N チャネル, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥1,633.3 (¥1,796.63) |
| 5+ | ¥1,492.59 (¥1,641.849) |
| 10+ | ¥1,351.87 (¥1,487.057) |
| 50+ | ¥1,211.16 (¥1,332.276) |
| 100+ | ¥1,095.38 (¥1,204.918) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥1,633 (¥1,797 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカー部品番号IXFH12N100P
注文コード3438377
製品ラインナップPolar HiPerFET
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース 電圧 Vds1kV
連続ドレイン電流 Id12A
ドレインソース オン状態 抵抗1.05ohm
トランジスタ ケース タイプTO-247
トランジスタ 取付スルーホール
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値6.5V
電力損失436W
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲Polar HiPerFET
能力-
0
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
12A
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
436W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
ドレインソース 電圧 Vds
1kV
ドレインソース オン状態 抵抗
1.05ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
6.5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
Polar HiPerFET
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:South Korea
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:South Korea
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.004