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DMP2120U-7
パワーMOSFET, P チャネル, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥31.48 (¥34.628) |
| 50+ | ¥22.29 (¥24.519) |
| 100+ | ¥13.09 (¥14.399) |
| 500+ | ¥11.53 (¥12.683) |
| 1500+ | ¥11.3 (¥12.43) |
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最小: 5
複数: 5
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製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号DMP2120U-7
注文コード3405186
技術データシート
チャネル タイプP チャネル
ドレインソース 電圧 Vds20V
連続ドレイン電流 Id3.8A
ドレインソース オン状態 抵抗0.062ohm
トランジスタ ケース タイプSOT-23
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧4.5V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値1V
電力損失800mW
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
DMP2120U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, VGS = -4.5V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.8W
- Static drain-source on-resistance is 62mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
3.8A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
800mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.062ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0002