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FDA28N50F
パワーMOSFET, N チャネル, 500 V, 28 A, 0.175 ohm, TO-3PN, スルーホール
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製造終了
製品概要
注意事項
市場における当製品に対する需要により、リードタイムが延長されました。納期は変動する場合がございます。割引対象外商品です。
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
28A
トランジスタ ケース タイプ
TO-3PN
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
310W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
ドレインソース 電圧 Vds
500V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.175ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
UniFET FRFET
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002