ページを印刷
STS10P3LLH6
パワーMOSFET, P チャネル, 30 V, 12.5 A, 0.01 ohm, SOIC, 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
2,184 在庫有り
さらに必要ですか?
2184 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥250.45 (¥275.495) |
| 10+ | ¥203.7 (¥224.07) |
| 100+ | ¥165.85 (¥182.435) |
| 500+ | ¥145.82 (¥160.402) |
| 1000+ | ¥126.9 (¥139.59) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥250 (¥276 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカー部品番号STS10P3LLH6
注文コード3367077
製品ラインナップSTripFET H6
技術データシート
チャネル タイプP チャネル
ドレインソース 電圧 Vds30V
連続ドレイン電流 Id12.5A
ドレインソース オン状態 抵抗0.01ohm
トランジスタ ケース タイプSOIC
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値1.7V
電力損失2.7W
ピン 数8ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲STripFET H6
能力-
0
0
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
12.5A
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
2.7W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.01ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.7V
ピン 数
8ピン
製品 範囲
STripFET H6
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00008