ページを印刷
STB18NF25
パワーMOSFET, N チャネル, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
1,434 在庫有り
さらに必要ですか?
185 2-3 営業日以内に配達(SG 在庫)
1249 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥390.68 (¥429.748) |
| 10+ | ¥252.06 (¥277.266) |
| 50+ | ¥173.29 (¥190.619) |
| 200+ | ¥152.53 (¥167.783) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥391 (¥430 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカー部品番号STB18NF25
注文コード3367000
製品ラインナップSTripFET II
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース 電圧 Vds250V
連続ドレイン電流 Id17A
ドレインソース オン状態 抵抗0.14ohm
トランジスタ ケース タイプTO-263 (D2PAK)
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値3V
電力損失110W
ピン 数3ピン
動作温度 最大値175°C
製品 範囲STripFET II
能力AEC-Q101
0
0
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
17A
トランジスタ ケース タイプ
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
110W
動作温度 最大値
175°C
能力
AEC-Q101
0
ドレインソース 電圧 Vds
250V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.14ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
STripFET II
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00138