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STB36NM60ND
パワーMOSFET, N チャネル, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製造終了
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
29A
トランジスタ ケース タイプ
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
190W
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
ドレインソース 電圧 Vds
600V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.097ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
FDmesh II
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00035