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MRF101AN
RF FET トランジスタ, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥19,996.07 (¥21,995.677) |
| 5+ | ¥17,496.56 (¥19,246.216) |
| 10+ | ¥14,497.15 (¥15,946.865) |
| 50+ | ¥12,997.44 (¥14,297.184) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥19,996 (¥21,996 税込み)
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製品情報
メーカーNXP
メーカー部品番号MRF101AN
注文コード2985308
製品ラインナップMRF101AN; MRF101BN
技術データシート
ドレインソース 電圧 Vds133V
連続ドレイン電流 Id-
電力損失182W
動作周波数 最小値1.8MHz
動作周波数 最大値250MHz
トランジスタ ケース タイプTO-220
ピン 数3ピン
動作温度 最大値175°C
チャネル タイプN チャネル
トランジスタ 取付スルーホール
製品 範囲MRF101AN; MRF101BN
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製品概要
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
技術仕様
ドレインソース 電圧 Vds
133V
電力損失
182W
動作周波数 最大値
250MHz
ピン 数
3ピン
チャネル タイプ
N チャネル
製品 範囲
MRF101AN; MRF101BN
0
連続ドレイン電流 Id
-
動作周波数 最小値
1.8MHz
トランジスタ ケース タイプ
TO-220
動作温度 最大値
175°C
トランジスタ 取付
スルーホール
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000907