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NVMYS1D3N04CTWG
パワーMOSFET, N チャネル, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, 表面実装
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製品概要
- Single N-channel power MOSFET
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- 40V minimum drain to source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250A)
- 100nA maximum gate to source leakage current (VDS = 0V, VGS = 20V)
- 2.5 to 3.5V gate threshold voltage range (VGS = VDS, ID = 180µA)
- 15ns typical turn on delay time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- 22ns typical rise time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- LFPAK4 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
252A
トランジスタ ケース タイプ
LFPAK
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
134W
動作温度 最大値
175°C
能力
AEC-Q101
0
ドレインソース 電圧 Vds
40V
ドレインソース オン状態 抵抗
1150µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3.5V
ピン 数
4ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001361