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PSMN3R5-40YSD
パワーMOSFET, N チャネル, 40 V, 120 A, 3000 µohm, SOT-669, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥169.19 (¥186.109) |
| 10+ | ¥139.14 (¥153.054) |
| 100+ | ¥108.2 (¥119.02) |
| 500+ | ¥97.18 (¥106.898) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥169 (¥186 税込み)
アイテムのメモ
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
120A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-669
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
115W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
40V
ドレインソース オン状態 抵抗
3000µohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3.1V
ピン 数
4ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000027