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NCP81075DR2G
MOSFET ドライバ, ハイサイド および ローサイド, 8.5 V ～ 20 V 電源, 4 A 出力, 20 ns 遅延, SOIC-8
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥341.9 (¥376.09) |
| 10+ | ¥231.72 (¥254.892) |
| 50+ | ¥218.76 (¥240.636) |
| 100+ | ¥205.79 (¥226.369) |
| 250+ | ¥204.84 (¥225.324) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥342 (¥376 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号NCP81075DR2G
注文コード2835625
技術データシート
チャネル数2チャネル
ゲートドライバ タイプ絶縁, 非絶縁
ドライバー 構成ハイサイド および ローサイド
パワースイッチ タイプMOSFET
ピン 数8ピン
IC ケース/ パッケージSOIC
IC 取付表面実装
入力 タイプ非反転
電源電流4A
シンク電流4A
供給電圧 最小値8.5V
供給電圧 最大値20V
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値140°C
入力 遅延20ns
出力 遅延20ns
製品 範囲-
能力-
0
0
技術仕様
チャネル数
2チャネル
ドライバー 構成
ハイサイド および ローサイド
ピン 数
8ピン
IC 取付
表面実装
電源電流
4A
供給電圧 最小値
8.5V
動作温度 最小値
-40°C
入力 遅延
20ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
絶縁, 非絶縁
パワースイッチ タイプ
MOSFET
IC ケース/ パッケージ
SOIC
入力 タイプ
非反転
シンク電流
4A
供給電圧 最大値
20V
動作温度 最大値
140°C
出力 遅延
20ns
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001