ページを印刷
製造終了
製品概要
BFU590GX is a NPN wideband silicon RF transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package. The BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Typical applications include automotive applications, broadband amplifiers, medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz) and large signal amplifiers for ISM applications.
- 24V collector-base voltage, 12V collector-emitter voltage, 2V emitter-base voltage
- Medium power, high linearity, high breakdown voltage RF transistor
- 95 typical DC gain
- Maximum stable gain is 13dB at 900MHz
- AEC-Q101 qualified
- Output power at 1dB gain compression PL(1dB) is 21.5dBm at 900MHz
- 8.5GHz transition frequency
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
トランジスタ極性
NPN
トランジション周波数
8.5GHz
連続コレクタ電流
200mA
ピン 数
4ピン
トランジスタ 取付
表面実装
製品 範囲
-
0
コレクタ エミッタ間電圧(最大)
12V
電力損失
2W
トランジスタ ケース タイプ
SOT-223
DC 電流利得 hFE 最小値
60hFE
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000148