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MRF1K50HR5
RF FET トランジスタ, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥60,344.51 (¥66,378.961) |
| 5+ | ¥59,137.62 (¥65,051.382) |
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最小: 1
複数: 1
¥60,345 (¥66,379 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
MRF1K50HR5 is a RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 500MHz.
- High drain--source avalanche energy absorption capability
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Characterized from 30 to 50V for ease of use
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Recommended driver: MRFE6VS25N (25W)
技術仕様
ドレインソース 電圧 Vds
135VDC
電力損失
1.667kW
動作周波数 最大値
500MHz
ピン 数
4ピン
チャネル タイプ
N チャネル
製品 範囲
-
0
連続ドレイン電流 Id
-
動作周波数 最小値
1.8MHz
トランジスタ ケース タイプ
NI-1230
動作温度 最大値
225°C
トランジスタ 取付
フランジ
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.011793