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AFT05MS004NT1
RF FET トランジスタ, 7.5 V/4 W テスト, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥1,831.4 (¥2,014.54) |
| 5+ | ¥1,602.47 (¥1,762.717) |
| 10+ | ¥1,327.76 (¥1,460.536) |
| 50+ | ¥1,190.41 (¥1,309.451) |
| 100+ | ¥1,098.84 (¥1,208.724) |
| 250+ | ¥1,062.25 (¥1,168.475) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥1,831 (¥2,015 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
AFT05MS004NT1 is a wideband RF power LDMOS transistor in a 3 pin SOT-89 package. Designed for handheld two-way radio applications with frequencies from 136 to 941MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source amplifier applications in handheld radio equipment.
- Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
- Integrated ESD Protection
- Integrated Stability Enhancements
- Wideband full power across the band
- Exceptional Thermal Performance
- Extreme Ruggedness
技術仕様
ドレインソース 電圧 Vds
30VDC
電力損失
28W
動作周波数 最大値
941MHz
ピン 数
3ピン
チャネル タイプ
N チャネル
製品 範囲
-
0
連続ドレイン電流 Id
-
動作周波数 最小値
136MHz
トランジスタ ケース タイプ
SOT-89
動作温度 最大値
150°C
トランジスタ 取付
表面実装
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.004536