ページを印刷
MRFE6VP6300HR5
RF FET トランジスタ, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
50 在庫有り
さらに必要ですか?
50 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥108,608.36 (¥119,469.196) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥108,608 (¥119,469 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品概要
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate--source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large--signal impedance parameters
技術仕様
ドレインソース 電圧 Vds
130VDC
電力損失
1.05kW
動作周波数 最大値
600MHz
ピン 数
4ピン
チャネル タイプ
N チャネル
製品 範囲
-
0
連続ドレイン電流 Id
-
動作周波数 最小値
1.8MHz
トランジスタ ケース タイプ
NI-780
動作温度 最大値
225°C
トランジスタ 取付
フランジ
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.008165