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TP2104N3-G
パワーMOSFET, P チャネル, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥121.53 (¥133.683) |
| 25+ | ¥99.72 (¥109.692) |
| 100+ | ¥91.93 (¥101.123) |
| 1000+ | ¥90.1 (¥99.11) |
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製品概要
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- Free from secondary breakdown
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
175mA
トランジスタ ケース タイプ
TO-92
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
740mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
40V
ドレインソース オン状態 抵抗
6ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0002