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NCP5901BDR2G
MOSFET ドライバ, ハイサイド および ローサイド, 4.5 V ～ 32 V 電源, 12.2 mA 出力, 25 ns 伝搬 遅延, SOIC-8
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥106.26 (¥116.886) |
| 10+ | ¥75.82 (¥83.402) |
| 100+ | ¥47.68 (¥52.448) |
| 500+ | ¥39.25 (¥43.175) |
| 1000+ | ¥32.81 (¥36.091) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥106 (¥117 税込み)
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号NCP5901BDR2G
注文コード2774627
技術データシート
チャネル数2チャネル
ゲートドライバ タイプ絶縁
ドライバー 構成ハイサイド および ローサイド
パワースイッチ タイプMOSFET
ピン 数8ピン
IC ケース/ パッケージSOIC
IC 取付表面実装
入力 タイプ非反転
電源電流-
シンク電流-
供給電圧 最小値4.5V
供給電圧 最大値32V
動作温度 最小値-10°C
動作温度 最大値125°C
入力 遅延16ns
出力 遅延11ns
製品 範囲-
能力-
0
0
技術仕様
チャネル数
2チャネル
ドライバー 構成
ハイサイド および ローサイド
ピン 数
8ピン
IC 取付
表面実装
電源電流
-
供給電圧 最小値
4.5V
動作温度 最小値
-10°C
入力 遅延
16ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
絶縁
パワースイッチ タイプ
MOSFET
IC ケース/ パッケージ
SOIC
入力 タイプ
非反転
シンク電流
-
供給電圧 最大値
32V
動作温度 最大値
125°C
出力 遅延
11ns
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001