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DGD21032S8-13
MOSFET ドライバ, ハーフ ブリッジ, 10 V ～ 20 V 電源, 0.6 アンペア 出力, 35 ns 遅延, SOIC-8
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥102.19 (¥112.409) |
| 10+ | ¥89.5 (¥98.45) |
| 100+ | ¥82.32 (¥90.552) |
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最小: 1
複数: 1
¥102 (¥112 税込み)
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製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号DGD21032S8-13
注文コード2748561
技術データシート
チャネル数2チャネル
ゲートドライバ タイプ-
ドライバー 構成ハーフブリッジ
パワースイッチ タイプIGBT, MOSFET
ピン 数8ピン
IC ケース/ パッケージSOIC
IC 取付表面実装
入力 タイプ反転, 非反転
電源電流290mA
シンク電流600mA
供給電圧 最小値10V
供給電圧 最大値20V
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値125°C
入力 遅延70ns
出力 遅延35ns
製品 範囲-
能力-
0
0
技術仕様
チャネル数
2チャネル
ドライバー 構成
ハーフブリッジ
ピン 数
8ピン
IC 取付
表面実装
電源電流
290mA
供給電圧 最小値
10V
動作温度 最小値
-40°C
入力 遅延
70ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
-
パワースイッチ タイプ
IGBT, MOSFET
IC ケース/ パッケージ
SOIC
入力 タイプ
反転, 非反転
シンク電流
600mA
供給電圧 最大値
20V
動作温度 最大値
125°C
出力 遅延
35ns
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001633