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NIS5112D1R2G.
電子 ヒューズ (eFuse), ハイサイド N−チャネル FET, 9 V ～ 18 V 電源, SOIC-8
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥651.39 (¥716.529) |
| 10+ | ¥503.94 (¥554.334) |
| 25+ | ¥456.95 (¥502.645) |
| 50+ | ¥409.95 (¥450.945) |
| 100+ | ¥372.69 (¥409.959) |
| 250+ | ¥348.38 (¥383.218) |
| 500+ | ¥327.31 (¥360.041) |
| 1000+ | ¥306.25 (¥336.875) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥651 (¥717 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号NIS5112D1R2G.
注文コード2724259
技術データシート
IC 機能eFuse (電子ヒューズ)
供給電圧 最小値9V
供給電圧 最大値18V
IC パッケージタイプSOIC
ピン 数8ピン
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値175°C
製品 範囲-
自動車用適合規格-
0
0
技術仕様
IC 機能
eFuse (電子ヒューズ)
供給電圧 最大値
18V
ピン 数
8ピン
動作温度 最大値
175°C
自動車用適合規格
-
0
供給電圧 最小値
9V
IC パッケージタイプ
SOIC
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000331