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SI7540ADP-T1-GE3
デュアル MOSFET, 補足 N および P チャネル, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥390.68 (¥429.748) |
| 10+ | ¥252.06 (¥277.266) |
| 100+ | ¥173.29 (¥190.619) |
| 500+ | ¥117.3 (¥129.03) |
| 1000+ | ¥115.52 (¥127.072) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥391 (¥430 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーVISHAY
メーカー部品番号SI7540ADP-T1-GE3
注文コード2707201
製品ラインナップTrenchFET Series
技術データシート
チャネル タイプ補足 N および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル20V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル20V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）8A
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）8A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.0115ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル0.0115ohm
トランジスタ ケース タイプPowerPAK SO
ピン 数8ピン
電力損失 N チャンネル1.6W
電力損失 P チャンネル1.6W
動作温度 最大値150°C
製品 範囲TrenchFET Series
能力-
0
0
製品概要
N- and P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converters, synchronous buck converter, synchronous rectifier, load switch and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
補足 N および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
20V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
8A
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
0.0115ohm
ピン 数
8ピン
電力損失 P チャンネル
1.6W
製品 範囲
TrenchFET Series
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
20V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
8A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.0115ohm
トランジスタ ケース タイプ
PowerPAK SO
電力損失 N チャンネル
1.6W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000226