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DMP2022LSS-13
パワーMOSFET, P チャネル, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥108.6 (¥119.46) |
| 50+ | ¥88.11 (¥96.921) |
| 100+ | ¥67.62 (¥74.382) |
| 500+ | ¥54.85 (¥60.335) |
| 1000+ | ¥49.08 (¥53.988) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥543 (¥597 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号DMP2022LSS-13
注文コード2543549
技術データシート
チャネル タイプP チャネル
ドレインソース 電圧 Vds20V
連続ドレイン電流 Id1A
ドレインソース オン状態 抵抗0.013ohm
トランジスタ ケース タイプSOIC
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値770mV
電力損失2.5W
ピン 数8ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
DMP2022LSS-13 is a single P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA = +25°C
- Drain current is -10A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
- Pulsed drain current is -90A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2.5W
- Static drain-source on-resistance is 13mohm max at VGS = -10V, ID = -10A, TA = +25°C
- SO-8 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
1A
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
2.5W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.013ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
770mV
ピン 数
8ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000207