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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 5+ | ¥15.76 (¥17.336) |
| 50+ | ¥14.02 (¥15.422) |
| 100+ | ¥12.27 (¥13.497) |
| 500+ | ¥10.24 (¥11.264) |
| 1500+ | ¥10.04 (¥11.044) |
| 3000+ | ¥9.54 (¥10.494) |
| 7500+ | ¥9.04 (¥9.944) |
価格:各(カットテープで提供)
最小: 5
複数: 5
¥79 (¥87 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号DMG2305UX-7
注文コード2543533
技術データシート
チャネル タイプP チャネル
ドレインソース 電圧 Vds20V
連続ドレイン電流 Id4.2A
ドレインソース オン状態 抵抗0.052ohm
トランジスタ ケース タイプSOT-23
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧4.5V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値900mV
電力損失1.4W
ピン 数3ピン
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
DMG2305UX-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, motor controls.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -4.2A at TA=+25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 40mohm typ at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- Gate threshold voltage is -0.9V max at VDS = VGS, ID = -250µA, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
4.2A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
1.4W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.052ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
900mV
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
DMG2305UX-7 の代替製品
1 見つかった製品
関連製品
3 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000059