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VSMY2853G
赤外線 エミッタ, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥133.57 (¥146.927) |
| 10+ | ¥88.27 (¥97.097) |
| 25+ | ¥78.59 (¥86.449) |
| 50+ | ¥68.68 (¥75.548) |
| 100+ | ¥58.89 (¥64.779) |
| 500+ | ¥57.55 (¥63.305) |
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最小: 1
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製品概要
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
技術仕様
ピーク 波長
850nm
ダイオード ケース形状
SMD
上昇時間
10ns
順電流 If (AV)
100mA
動作温度 最小値
-40°C
自動車用適合規格
-
0
半強度の角度
28°
放射強度 (Ie)
10mW/Sr
降下時間 tf
10ns
順電圧 VF 最大値
1.9V
動作温度 最大値
85°C
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000454