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VEMD6110X01
フォトダイオード, 60 °, 1 nA, 950 nm, 1206-2
917 在庫有り
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917 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥163.66 (¥180.026) |
| 10+ | ¥114.57 (¥126.027) |
| 25+ | ¥104.58 (¥115.038) |
| 50+ | ¥94.59 (¥104.049) |
| 100+ | ¥84.59 (¥93.049) |
| 500+ | ¥71.31 (¥78.441) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥164 (¥180 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
- Silicon PIN photodiode suitable for high speed photo detector
- Radiant sensitive area of 0.85mm²
- AEC-Q101 qualified
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Daylight blocking filter matched with 830nm to 950nm emitters
- Fast response times
技術仕様
ピン 数
2ピン
ピーク感度波長
950nm
暗電流
1000pA
動作温度 最大値
110°C
自動車用適合規格
AEC-Q101
0
ダイオード ケース形状
1206
半感度の角度
60°
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000063